西安交通大学能源与动力工程学院陈雪江副教授将出席第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会，并将在会上做《SiC晶体外延生长微观机理研究》的报告。
西安交通大学能源与动力工程学院陈雪江副教授
陈雪江，博士，西安交通大学能源与动力工程学院副教授，能源与动力工程系主任，学院实验教学中心主任，陕西省流体机械工程技术研究中心副主任，教育部“新世纪优秀人才计划”入选者，主要从事流体工程及管网控制、SiC晶体生长机理的热物理问题方面的研究。1997年、2000年、2003年分别获西安交通大学流体机械与透平机械专业学士、动力工程与工程热物理学科硕士和博士学位。2004年至2005年在韩国高等科学技术研究院 ( KAIST )任 “BK 21”博士后，2005年至2010年在日本九州大学应用力学研究所任助理教授（讲师）、学术研究员，2010年回西安交通大学任教。目前在国内外学术期刊上发表学术论文60多篇，其中SCI检索近40余篇，获批发明专利10项。参加国际、国内学术会议60余次，主持省部级教改项目2项，获得陕西省高等教育教学成果奖一等奖2项，指导本科生科创竞赛并获得国家级赛事一等奖7项。
报告摘要
基于SiC晶体外延生长中微观原子的动力学过程，发展了一种能够更加精确地捕获生长表面微观原子动力学过程信息的三维的动力学蒙特卡罗（KMC）模型。首先，应用该模型研究了SiC晶体外延生长初期成核特性，发展了考虑不稳定团簇分解速率的二元组自适应方程，将其应用至SiC晶体外延成核初期生长过程的描述，并提出了两种控制单体吸附长度的机制。其次，利用该模型研究了生长参数对台阶型SiC晶体生长模式的影响规律，揭示了各向异性台阶流动生长微观形成机理；针对SiC(0001)邻晶面生长过程中台阶聚并和台阶蜿蜒形貌特征，采用BCF理论模型讨论了台阶聚并的形成机理以及台阶流动生长过程中的失稳机理。
第三代半导体晶体生长技术与市场研讨会
一、会议组织单位、时间、地点
主办单位：长沙市工信局
会议时间、地点
会议将于11月23号在湖南长沙步步高福朋喜来登酒店三楼宴会厅举办。
会议注册时间：11月22号14:00—21:00
技术交流时间：11月23号9:00—17:00
欢迎晚宴时间：11月23号18:30—21:00
参观48所时间：11月24号9:00—12:00
二、会议议程
主持人：晶澳助理总裁边志坚先生、湖南大学吕铁铮教授
